Samsung ha anunciado que ahora está produciendo en masa el primer módulo Universal Flash Storage 2.1 (eUFS) integrado de 1 TB del mundo para teléfonos, y el momento del lanzamiento sugiere que el chip de almacenamiento podría terminar en el Galaxy S10. Samsung señaló que el módulo en sí es del mismo tamaño que el chip de 512 GB que se encuentra en el Galaxy Note 9.
Samsung puede lograrlo al aprovechar la tecnología V-NAND, donde las celdas NAND se apilan verticalmente para maximizar la densidad y la eficiencia. Samsung está promocionando velocidades de lectura secuenciales de hasta 1000Mbps y velocidades de escritura de 260Mbps, lo que debería permitir que el módulo de almacenamiento ofrezca grabación continua de video incluso a 960 fps.
Según el vicepresidente de marketing de memoria de Samsung, Cheol Choi, el módulo eUFS de 1TB desempeñará un papel clave en "brindar una experiencia de usuario más parecida a una notebook para la próxima generación de dispositivos móviles". El CEO de Samsung, DJ Koh, dijo en una entrevista a principios de esta semana que el Galaxy S10 satisfará las expectativas de los clientes y que ofrecer 1 TB de almacenamiento interno es una forma de hacerlo.
